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[磁学国家重点实验室学术报告] 基于智能磁电材料的自旋电子器件研究
时间: 2018年12月07日 10:00
地点: 皇冠赌场皇冠赌场M楼253会议室
报告人: Prof. 刘明

(西安交通大学电信学院,电子陶瓷与器件教育部重点实验室)

摘要:

随着微电子与半导体技术的迅猛发展,低功耗、微型化、可调节与超快响应已是当前电子元器件设计和开发的首要目标。然而在基于传统电子材料的元器件中,材料功能的单一性已成为制约电子器件微型化和低功耗的瓶颈。多功能磁电材料以其独特的磁电耦合特性引起了学术界和工业界的高度关注,并被给予厚望以期解决当前自旋电子元器件中高功耗、高热量、噪声大和响应慢的问题。本课题组长期致力于新型多功能磁电复合材料及其在自旋电子器件中的应用研究,包括信息存储、信号处理、磁电传感和柔性电子等。提出了利用强磁致伸缩系数的非晶金属和强压电特性铁电单晶构建层状磁电异质结的策略,实现了利用脉冲电场非易失性调控磁特性;将磁电耦合机制与双磁子散射机理相结合,建立了适应于磁电材料的自旋-晶格耦合模型和双磁子散射模型,实现了对自旋波的显著调控;发现了磁电相界面处的新奇磁电耦合现象,实现了低电压(<5V)诱导离子液体调控界面磁性。

简介:

刘明博士,1977年8月生,西安交通大学 腾飞特聘教授,陕西省百人计划。现担任西安交通大学研究生院副院长,西安市政协委员。刘明博士2010年5月毕业于美国东北大学电子与计算机工程系,取得电子工程博士学位。同年获得美国阿贡国家实验室主任博士后基金的资助开展博士后研究。2013年9月,全职回到西安交通大学电信学院电子陶瓷与器件教育部重点实验室&国际电介质研究中心担任教授。刘明博士一直从事智能磁电材料与器件的研究,迄今为止,在国际知名期刊发表SCI论文140余篇,论文引用超过3500次,H因子31,第一作者论文单篇最高引用240次并被ESI收录。特别近两年先后以通讯作者发表NC 1篇,AM 5篇,AFM2篇,ACS  Nano 4篇等。应Wiley出版社邀请,撰写英文专著一部,申请或授权发明专利16项。应邀在IEEE Intermag、MMM等顶级国际学术会议上担任分会主席14次,做学术邀请报告30余次,口头报告和海报50余次。担任SCI期刊Physics Letter A, Scientific Reports和 JMIHI编委,以及Sensors客座编委。担任陕西宇航学会电子信息专委会副主任委员,机械工程学会微纳制造分会常务理事,中国电子学会高级会员。主持和参与了多项国家自然科学基金面上和重点项目、国家重点基础研究发展计划项目和2011协同创新中心项目,美国空军实验室、美国海军研究总署、美国自然科学基金、以及美国能源部开放实验室项目。

Publications:

1.  Q. Yang, L. Wang, Z. Zhou*, S. Zhao, G. Dong, Y. Chen, T. Min, M. Liu*,  Nature Communication, 9, 991 (2018) (IF= 12.353) (Editor highlights)

2.  S. Zhao, L. Wang, Z. Zhou*, C. Li, G. Dong, L. Zhang, B. Peng, T. Min, Z. Hu, J. Ma, W. Ren, Z. Ye, W. Chen, P. Yu, C. Nan, M. Liu*,  Advanced Materials, 30, 1801639 (2018) (inside cover)

3.  M. Guan, L. Wang, S. Zhao, Z. Zhou*, G. Dong, W. Su, T. Min, J. Ma, Z. Hu, W. Ren, Z.-G. Ye, C.-W. Nan, M. Liu*, Advanced Materials, 30, 1802902 (2018) (Inside Cover)

4.  Q. Yang, Z. Zhou*, L. Wang, H. Zhang, Y. Cheng, Z. Hu, B. Peng, and M. Liu*,  Advanced Materials, 30, 1800449 (2018)

5.  X. Wang, Q. Yang, L. Wang, Z. Zhou*, T. Min, M. Liu*, N. Sun*, Advanced Materials, 30, 1803612 (2018)

6.  M. Guan, L. Wang, S. Zhao, P. Bin,*  W. Su, Z. He, G. Dong, T. Min, J. Ma, Z. Hu, W. Ren, Z.-G. Ye, C-W. Nan,  Z. Zhou,* M. Liu*, Advanced Functional Materials DOI. adfm.201805592 (2018) (Front cover)

7.   S. Zhao, Z. Zhou*, C. Li, B. Peng, Z. Hu, M. Liu*, ACS Nano, 12, 7167-7173 (2018) (IF= 13.709)

8.   G. Dong, Z. Zhou*, M. Guan, X. Xue, M. Chen, J. Ma, Z. Hu, W. Ren, Z. Ye, C. Nan, M. Liu*,  ACS Nano,123751-3758 (2018)

9.   L. Zhang, W. Hou, G. Dong, Z. Zhou, S. Zhao*, Z. Hu, W. Ren*, M. Chen, C. Nan, J. Ma, H. Zhou, W. Chen, Z. Ye, Z. Jiang, M. Liu*, Materials Horizons, 5, 991-999 (2018)

10.  S. Zhao, Z. Zhou*, B. Peng, M. Zhu, M. Feng, Q. Yang, Y. Yan, W. Ren, Z-G Ye, Y. Liu, M. Liu*, Advanced Materials, 29, 1606478 (2017) (Inside cover)

11.  B. Peng, Z. Zhou*, T. Nan, G. Dong, M. Feng, Q. Yang, X. Wang, S. Zhao, D. Xian, Z.-D. Jiang, W. Ren, Z.-G. Ye, N. X. Sun, M. Liu*, ACS Nano, 11, 4337-4345 (2017)

12.  X. Xue, Z. Zhou*, G. Dong, M. Feng, Y. Zhang, S. Zhao, Z. Hu, W. Ren, Z.-G. Ye, Y. Liu, M. Liu*,  ACS Nano, 11, 9286-9293 (2017)

13.  M. Zhu, Z. Zhou*, B. Peng, S. Zhao, Y. Zhang, G. Niu, W. Ren*, Z-G Ye, Y. Liu, M. Liu*, Advanced Functional Materials, 27, 1605598 (2017) (Inside cover)

报告邀请人:胡凤霞 研究员,电话:9233


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